中国铸造网讯，山东天岳先进材料科技有限公司依托山东大学晶体材料国家重点实验室(中国晶体领域唯一国家重点实验室),山东天岳自主研发的碳化硅晶体生长和衬底加工技术达到了世界先进水平，拥有了独立的自主知识产权。打破了以美国为首的西方发达国家的技术垄断和封锁。

　　半导体碳化硅单晶材料广泛应用于大功率高频电子器件、射频器件、半导体发光二极管(LED),产品涉及到军事工业、民用航空、半导体照明、电子产品背光源等国家鼓励发展产业,是第三代半导体的核心材料,属于《国家中长期科学和技术发展规划纲要》和国家“十二五”发展规划中重点培育和发展的战略性新兴产业。

　　从我国产业发展的实际情况来看,如果“金字塔尖”的碳化硅材料上游开发受阻,将严重制约产业链中下游的器件、封装与应用领域的发展。长期以来,我国的电子器件主要依靠进口,其中2011年的进口额就高达3000亿美元,超过了石油进口额。半导体碳化硅衬底及芯片的重要战略价值,使其始终稳居美国商务部的禁运名单,这也导致我国很难从国外获得相应产品。而如今,山东天岳公司已将山东大学晶体材料国家重点实验室十余年的研发成果大尺寸碳化硅衬底生长加工技术,进行了产业转化,填补了国内在该领域的空白,打破欧美发达国家长期以来对我国的技术垄断、产品禁运,从源头上解决了受制于人的局面。