自山东天岳新进材料科技有限公司2010年成立以来，先是依托山东大学晶体材料国家重点实验室(中国晶体领域唯一重点实验室) 经过十多年艰苦努力，突破层层技术障碍自主研制出了4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世，打破了国外垄断，成为世界上少数几个掌握此技术的单位之一，目前技术成熟可靠已经实现量产

　　山东天岳新进材料科技有限公司研发生产的碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说，研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

　　当前碳化硅主要应用于三大领域：高亮度LED、电力电子以及先进雷达，以后还可能走进家用市场，这意味着山东天岳新进材料科技有限公司以技术团队的自主创新和产业化之路还将延续。