根据国家发改委通知，中国电科二所“SiC单晶衬底材料制备产业化”项目获得国家发改委2015年第三批专项建设基金支持。

　　该项目将在现有碳化硅工艺技术基础上进行高纯SiC粉料合成、6英寸SiC单晶生长、4英寸高纯半绝缘SiC单晶生长工艺及其相关设备产业化建设，最终实现规模化批量生产能力。